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《对接人员》：【杨清清】 

《撰写单位》： 智信中科研究网 

《修订日期》：【2024年12月】

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2025-2031年全球第三代半导体产业运行状况及发展前景分析报告

章　第三代半导体相关概述

1.1　第三代半导体基本介绍

1.1.1　基础概念界定

1.1.2　主要材料简介

1.1.3　历代材料性能

1.1.4　产业发展意义

1.2　第三代半导体产业发展历程分析

1.2.1　材料发展历程

1.2.2　产业演进全景

1.2.3　产业转移路径

1.3　第三代半导体产业链构成及特点

1.3.1　产业链结构简介

1.3.2　产业链图谱分析

1.3.3　产业链生态体系

1.3.4　产业链体系分工

第二章　2022-2024年全球第三代半导体产业发展分析

2.1　2022-2024年全球第三代半导体产业运行状况

2.1.1　政府部署情况

2.1.2　市场发展规模

2.1.3　行业技术进展

2.1.4　企业竞争格局

2.1.5　区域竞争格局

2.1.6　行业竞争趋势

2.1.7　行业前景展望

2.2　美国

2.2.1　经费投入规模

2.2.2　产业技术优势

2.2.3　技术研究中心

2.2.4　国家支持基金

2.2.5　产线建设动态

2.2.6　战略层面部署

2.3　日本

2.3.1　产业发展计划

2.3.2　封装技术联盟

2.3.3　产业重视原因

2.3.4　技术状况

2.3.5　企业发展布局

2.3.6　国际合作动态

2.4　欧盟

2.4.1　企业布局情况

2.4.2　产业发展基础

2.4.3　前沿企业格局

2.4.4　未来发展热点

第三章　2022-2024年中国第三代半导体产业发展环境PEST分析

3.1　政策环境（Political）

3.1.1　中央部委政策支持

3.1.2　地方政府扶持政策

3.1.3　国家标准现行情况

3.1.4　中美贸易摩擦影响

3.2　经济环境（Economic）

3.2.1　宏观经济概况

3.2.2　工业运行情况

3.2.3　社会融资规模

3.2.4　宏观经济展望

3.3　社会环境（Social）

3.3.1　社会教育水平

3.3.2　知识专利水平

3.3.3　研发经费投入

3.3.4　技术人才储备

3.4　技术环境（Technological）

3.4.1　专利申请状况

3.4.2　科技计划专项

3.4.3　制造技术成熟

3.4.4　产业技术联盟

第四章　2022-2024年中国第三代半导体产业发展分析

4.1　中国第三代半导体产业发展特点

4.1.1　数字基建打开成长空间

4.1.2　背光市场空间逐步扩大

4.1.3　衬底和外延是关键环节

4.1.4　产业上升国家战略层面

4.1.5　产业链向国内转移明显

4.2　中国第三代半导体产业发展综述

4.2.1　产业发展现状

4.2.2　产业标准规范

4.2.3　国产替代状况

4.2.4　行业发展空间

4.3　2022-2024年中国第三代半导体市场运行状况分析

4.3.1　市场发展规模

4.3.2　产业企业布局

4.3.3　产业区域发展

4.3.4　市场供需分析

4.4　2022-2024年中国第三代半导体上游原材料市场发展分析

4.4.1　上游金属硅产能释放

4.4.2　上游氧化锌市场现状

4.4.3　上游材料产业链布局

4.4.4　上游材料竞争状况分析

4.5　中国第三代半导体产业发展问题分析

4.5.1　技术缺乏市场竞争力

4.5.2　基础研究能力欠缺

4.5.3　中试平台成本高

4.5.4　制造技术未完全成熟

4.6　中国第三代半导体产业发展建议及对策

4.6.1　加大研发支持力度

4.6.2　完善产业体系生态

4.6.3　加快技术成果转化

4.6.4　加强国际科技合作

第五章　2022-2024年第三代半导体氮化镓（GAN）材料及器件发展分析

5.1　GaN材料基本性质及制备工艺发展状况

5.1.1　GaN产业链条

5.1.2　GaN结构性能

5.1.3　GaN制备工艺

5.1.4　GaN材料类型

5.1.5　技术专利情况

5.1.6　技术发展趋势

5.2　GaN材料市场发展概况分析

5.2.1　项目建设动态

5.2.2　材料价格走势

5.2.3　材料技术水平

5.2.4　市场应用进展

5.2.5　应用市场预测

5.2.6　市场竞争状况

5.3　GaN器件及产品研发情况

5.3.1　器件产品类别

5.3.2　GaN晶体管

5.3.3　射频器件产品

5.3.4　电力电子器件

5.3.5　光电子器件

5.4　GaN器件应用领域及发展情况

5.4.1　电子电力器件应用

5.4.2　高频功率器件应用

5.4.3　应用实现条件与对策

5.5　GaN器件发展面临的挑战

5.5.1　器件技术难题

5.5.2　电源技术瓶颈

5.5.3　风险控制建议

第六章　2022-2024年第三代半导体碳化硅（SIC）材料及器件发展分析

6.1　SiC材料基本性质与制备技术发展状况

6.1.1　SiC性能特点

6.1.2　SiC制备工艺

6.1.3　SiC产品类型

6.1.4　单晶技术专利

6.1.5　技术难点分析

6.2　SiC材料市场发展概况分析

6.2.1　产业链条分析

6.2.2　材料市场规模

6.2.3　市场价格走势

6.2.4　市场供应分析

6.2.5　市场需求方分析

6.2.6　材料技术水平

6.2.7　市场企业

6.3　SiC器件及产品研发情况

6.3.1　产品结构设计

6.3.2　电力电子器件

6.3.3　功率模块产品

6.3.4　器件产品布局

6.4　SiC器件应用领域及发展情况

6.4.1　SiC下游主要应用场景

6.4.2　SiC导电型器件应用

6.4.3　SiC半绝缘型器件应用

6.4.4　SiC新能源汽车领域应用

6.4.5　SiC充电桩领域应用

第七章　2022-2024年第三代半导体其他材料发展状况分析

7.1　Ⅲ族氮化物半导体材料发展分析

7.1.1　基础概念介绍

7.1.2　材料结构性能

7.1.3　材料制备工艺

7.1.4　主要器件产品

7.1.5　应用发展状况

7.1.6　发展建议对策

7.2　宽禁带氧化物半导体材料发展分析

7.2.1　基本概念介绍

7.2.2　材料结构性能

7.2.3　材料制备工艺

7.2.4　主要应用器件

7.3　氧化镓（Ga2O3）半导体材料发展分析

7.3.1　材料结构性能

7.3.2　材料应用优势

7.3.3　材料国外进展

7.3.4　国内技术进展

7.3.5　器件应用发展

7.3.6　未来发展前景

7.4　金刚石半导体材料发展分析

7.4.1　材料结构性能

7.4.2　材料研究背景

7.4.3　材料发展特点

7.4.4　主要器件产品

7.4.5　应用发展状况

7.4.6　国产替代机遇

7.4.7　材料发展难点

第八章　2022-2024年第三代半导体下游应用领域发展分析

8.1　第三代半导体下游产业应用领域发展概况

8.1.1　下游应用产业分布

8.1.2　下游产业优势特点

8.1.3　下游产业需求旺盛

8.2　2022-2024年电力电子领域发展状况

8.2.1　全球市场发展规模

8.2.2　全球应用市场占比

8.2.3　发展规模

8.2.4　国内器件应用分布

8.2.5　器件发展趋势分析

8.3　2022-2024年微波射频领域发展状况

8.3.1　射频器件市场规模

8.3.2　射频市场竞争分析

8.3.3　射频器件市场需求

8.3.4　国防基站应用分析

8.3.5　射频器件发展趋势

8.4　2022-2024年半导体照明领域发展状况

8.4.1　发展政策支持

8.4.2　产业链分析

8.4.3　LED芯片发展

8.4.4　项目建设动态

8.4.5　企业竞争格局

8.5　2022-2024年半导体激光器发展状况

8.5.1　产业链发展现状

8.5.2　企业发展格局

8.5.3　产品结构分析

8.5.4　主要技术分析

8.5.5　国产化趋势

8.6　2022-2024年5G新基建领域发展状况

8.6.1　5G产业发展进程

8.6.2　行业投融资状况

8.6.3　5G助推材料发展

8.6.4　材料应用发展方向

8.6.5　产业投资发展展望

8.7　2022-2024年新能源汽车领域发展状况

8.7.1　新能源汽车整体产销规模

8.7.2　新能源汽车板块企业动态

8.7.3　新能源汽车市场集中度

8.7.4　充电基础设施运行情况

8.7.5　设施与汽车的对比情况

第九章　2022-2024年第三代半导体材料产业区域发展分析

9.1　2022-2024年第三代半导体产业区域发展概况

9.1.1　产业区域分布

9.1.2　区域建设回顾

9.2　京津翼地区第三代半导体产业发展分析

9.2.1　北京产业发展状况

9.2.2　顺义产业发展情况

9.2.3　保定产业发展情况

9.2.4　应用联合创新基地

9.2.5　区域未来发展趋势

9.3　中西部地区第三代半导体产业发展分析

9.3.1　成都产业发展状况

9.3.2　重庆产业发展状况

9.3.3　西安产业发展状况

9.4　珠三角地区第三代半导体产业发展分析

9.4.1　广东产业发展状况

9.4.2　广州产业发展动态

9.4.3　深圳产业发展动态

9.4.4　东莞产业发展状况

9.4.5　区域未来发展趋势

9.5　华东地区第三代半导体产业发展分析

9.5.1　江苏产业发展概况

9.5.2　苏州工业园区发展

9.5.3　山东产业发展规划

9.5.4　厦门产业发展状况

9.5.5　区域未来发展趋势

9.6　第三代半导体产业区域发展建议

9.6.1　提高资源整合效率

9.6.2　补足SiC领域短板

9.6.3　开展关键技术研发

9.6.4　鼓励地方加大投入

第十章　2021-2024年第三代半导体产业重点企业经营状况分析

10.1　三安光电股份有限公司

10.1.1　企业发展概况

10.1.2　企业业务布局

10.1.3　经营效益分析

10.1.4　业务经营分析

10.1.5　财务状况分析

10.1.6　核心竞争力分析

10.2　闻泰科技股份有限公司

10.2.1　企业发展概况

10.2.2　企业业务布局

10.2.3　经营效益分析

10.2.4　业务经营分析

10.2.5　财务状况分析

10.2.6　核心竞争力分析

10.3　北京赛微电子股份有限公司

10.3.1　企业发展概况

10.3.2　企业业务布局

10.3.3　经营效益分析

10.3.4　业务经营分析

10.3.5　财务状况分析

10.3.6　核心竞争力分析

10.4　厦门乾照光电股份有限公司

10.4.1　企业发展概况

10.4.2　企业业务布局

10.4.3　经营效益分析

10.4.4　业务经营分析

10.4.5　财务状况分析

10.4.6　核心竞争力分析

10.5　湖北台基半导体股份有限公司

10.5.1　企业发展概况

10.5.2　企业业务布局

10.5.3　经营效益分析

10.5.4　业务经营分析

10.5.5　财务状况分析

10.5.6　核心竞争力分析

10.6　京东方华灿光电股份有限公司

10.6.1　企业发展概况

10.6.2　企业业务布局

10.6.3　经营效益分析

10.6.4　业务经营分析

10.6.5　财务状况分析

10.6.6　核心竞争力分析

10.7　株洲中车时代电气股份有限公司

10.7.1　企业发展概况

10.7.2　企业业务布局

10.7.3　经营效益分析

10.7.4　业务经营分析

10.7.5　财务状况分析

10.7.6　核心竞争力分析

第十一章　第三代半导体产业投资价值综合评估

11.1　行业投资背景

11.1.1　行业投资规模

11.1.2　投资市场周期

11.1.3　行业投资价值

11.2　行业投融资情况

11.2.1　国际投资案例

11.2.2　国内投资项目

11.2.3　国际企业并购

11.2.4　国内企业并购

11.2.5　企业融资动态

11.3　行业投资壁垒

11.3.1　技术壁垒

11.3.2　资金壁垒

11.3.3　贸易壁垒

11.4　行业投资风险

11.4.1　企业经营风险

11.4.2　技术迭代风险

11.4.3　行业竞争风险

11.4.4　产业政策变化风险

11.5　行业投资建议

11.5.1　积极把握5G通讯市场机遇

11.5.2　收购企业实现关键技术突破

11.5.3　关注新能源汽车催生需求

11.5.4　国内企业向IDM模式转型

11.5.5　加强高校与科研院所合作

11.6　投资项目案例

11.6.1　项目基本概述

11.6.2　项目建设必要性

11.6.3　项目建设可行性

11.6.4　项目投资概算

11.6.5　项目建设周期

11.6.6　项目经济效益

第十二章　2025-2031年第三代半导体产业前景与趋势预测

12.1　第三代半导体未来发展趋势

12.1.1　产业成本趋势

12.1.2　未来发展趋势

12.1.3　应用领域趋势

12.2　第三代半导体未来发展前景

12.2.1　重要发展窗口期

12.2.2　产业应用前景

12.2.3　产业发展机遇

12.2.4　产业市场机遇

12.2.5　产业发展展望

12.3　2025-2031年中国第三代半导体行业预测分析

12.3.1　中国第三代半导体行业发展驱动五力模型分析

12.3.2　2025-2031年中国第三代半导体产业电子电力和射频电子总产值预测

图表目录

图表1　第三代半导体特点

图表2　第三代半导体主要材料

图表3　不同半导体材料性能比较（一）

图表4　不同半导体材料性能比较（二）

图表5　碳化硅、氮化镓的性能优势

图表6　半导体材料发展历程及现状

图表7　半导体材料频率和功率特性对比

图表8　第三代半导体产业演进示意图

图表9　第三代半导体产业链

图表10　第三代半导体产业链

图表11　第三代半导体衬底制备流程

图表12　第三代半导体产业链全景图谱

图表13　第三代半导体健康的产业生态体系

图表14　全球部分国家/地区第三代半导体材料行业发展环境分析

图表15　2018-2024年全球第三代半导体材料（SiC功率器件、GaN射频器件）市场规模

图表16　国际SiC代表企业技术进展情况

图表17　2022年全球碳化硅衬底市占率

图表18　国外碳化硅外延厂商产品/产能布局

图表19　全球GaN射频元器件市场企业竞争梯队

图表20　全球碳化硅（SiC）区域发展格局

图表21　2022年全球氮化镓（GaN）区域竞争格局

图表22　全球第三代半导体材料行业竞争趋势分析

图表23　2024-2031年全球第三代半导体材料（SiC、GaN）市场规模预测

图表24　日本下一代功率半导体封装技术开发联盟成员（一）

图表25　日本下一代功率半导体封装技术开发联盟成员（二）

图表26　欧洲LAST POWER产学研项目成员

图表27　《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》中第三代半导体相关内容

图表28　2019-2021年国家层面第三代半导体支持政策汇总

图表29　2022年第三代半导体相关政策的分布情况

图表30　2022年第三代半导体领域地方政府部分政策法规列表

图表31　2021-2024年碳化硅相关国家标准

图表32　氮化镓相关国家标准

图表33　2019-2024年国内生产总值及其增长速度

图表34　2019-2024年三次产业增加值占国内生产总值比重

图表35　2024年GDP初步核算数据

图表36　2019-2024年GDP同比增长速度

图表37　2019-2024年GDP环比增长速度

图表38　2019-2024年全部工业增加值及其增长速度

图表39　2024年规模以上工业主要产品产量及其增长速度

图表40　2023-2024年规模以上工业增加值同比增长速度

图表41　2024年规模以上工业生产主要数据

图表42　《世界经济展望》增长率预测

图表43　2019-2024年本专科、中等职业教育及普通高中招生人数

图表44　2024年专利授权和有效专利情况

图表45　2019-2024年研究与试验发展（R&D）经费支出及其增长速度

图表46　国内高校、研究所与企业的技术合作与转化

图表47　2015-2024年中国第三代半导体专利申请状况

图表48　中国第三代半导体产业技术创新战略联盟发起单位

图表49　第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）

图表50　2022年国内第三代半导体材料部分技术进展

图表51　全球推动第三代半导体产业和技术发展的国家计划

图表52　《中国制造2025》第三代半导体相关发展目标

图表53　第三代半导体产业技术创新战略联盟标准列表

图表54　2016-2024年中国SiC、GaN电力电子和GaN微波射频器件市场规模

图表55　中国第三代半导体行业代表性企业业务布局情况

图表56　2022年中国第三代半导体产业链生产企业分布热力地图

图表57　中国第三代半导体产业链代表性企业区域分布图

图表58　2018-2022年中国第三代半导体供需情况

图表59　中国第三代半导体价格情况

图表60　2024年工业硅产量分布

图表61　2024年工业硅下游需求分布

图表62　2020-2024年工业硅产量

图表63　2022-2024年97#工业硅产量

图表64　2023-2024年中国氧化锌产量

图表65　氮化镓产业链主要的国际竞争厂商（一）

图表66　氮化镓产业链主要的国际竞争厂商（二）

图表67　氮化镓产业链主要的国际竞争厂商（三）

图表68　氮化镓产业链国内主要企业

图表69　国内碳化硅单晶企业

图表70　氮化镓产业链

图表71　氮化镓行业产业链全景图

图表72　GaN原子结构

图表73　典型GaN HEMT结构

图表74　GaN材料与Si材料性能对比分析

图表75　GaN制备流程

图表76　HVPE系统示意图

图表77　GaN外延生长常用方法示意图

图表78　2015-2024年氮化镓技术领域专利申请量申请/授权数量及占比情况

图表79　2019-2030年中国第三代半导体GaN材料关键技术发展路线表

图表80　部分国内企业GaN产品进展

图表81　2022年GaN消费电源应用进展

图表82　2022、2024年GaN（氮化镓）半导体主流产品市场份额

图表83　GaN半导体器件类别及应用

图表84　GaN器件主要产品

图表85　Cascode GaN晶体管

图表86　EPC的电气参数

图表87　LGA封装示意图

图表88　境外GaN射频器件产业链重点企业

图表89　大陆GaN射频器件产业链重点企业

图表90　GaN电力电子器件应用市场占示意图

图表91　Navitas GaN单管应用举例

图表92　激光雷达脉冲宽度对距离测量分辨率的影响

图表93　Si和GaN器件驱动的激光雷达成像分辨率对比图

图表94　恒定电压供电方式的典型波形

图表95　包络线跟随供电方式的典型波形

图表96　ET技术的原理框图

图表97　DBC方式的硅基器件的热阻发展趋势

图表98　SiC-MOSFET相对硅基器件优势

图表99　SiC衬底制作工艺流程

图表100　CVD法制备碳化硅外延工艺流程

图表101　国内SiC衬底技术指标进展

图表102　SiC功率器件分类

图表103　2015-2024年中国碳化硅单晶专利数量及授权趋势

图表104　碳化硅晶体生长主流工艺比较

图表105　不同切割工艺的性能对比

图表106　碳化硅半导体器件生产工序

图表107　SiC产业链结构

图表108　PVT法生长碳化硅晶体示意图

图表109　2019-2024年全球碳化硅衬底市场规模

图表110　2023-2024年碳化硅价格

图表111　2024年碳化硅成本及利润分析

图表112　2023-2024年碳化硅开工及产量

图表113　2023-2024年247家钢铁企业铁水产量

图表114　2023-2024年碳化硅出口量

图表115　8英寸SiC晶体和晶片照片

图表116　8英寸SiC晶片的Raman散射图谱

图表117　8英寸4度偏角（4 off-axis）SiC晶片（0004）面的X射线摇摆曲线

图表118　国内外技术差距对比

图表119　中国碳化硅衬底领域主要企业

图表120　碳化硅外延片领域重点企业简介